Imation stellt "Sun StorageTek T10000"-Medien her

Kapazitäten von bis zu 500 GByte unkomprimiert

(05.12.05) -Imation wird in Kürze Medien für die neuen "Sun StorageTek T10000"-Tape Drives von Sun Microsystems herstellen. Imation, der Mitentwickler der "Sun StorageTek 9840"- und "9940 Enterprise"-Tape-Produkte, wird somit auch die Medien für die nächste Generation von Bandlauf-werken anbieten. Imations Sun StorageTek T10000-Medien mit Kapazitäten von bis zu 500 GByte unkomprimiert kombinieren die patentierte Tera Ångstrom Beschichtungstechnologie und Imations neue Precision-Tracking "N-Pattern"-Servo-Beschreibung. Imations Precision-Tracking "N Pattern"-Servo-Beschreibung ist eine patentierte Servo-Schreibtechnologie, die mittels eines präzisen Bezugsmusters eine Tracking-Akkuratheit im Nanometer-Bereich ermöglicht. Diese ist für Kapazi-täten im TeraByte-Bereich und darüber unabdingbar.

Die "N-Pattern"-Technologie ist eine zeitbasierte Servo-Schreibtechnologie, die eine deutliche Erhöhung der Spurdichten ermöglicht. In der Kombination mit Imations patentierter "Tera Ångstrom"-Technologie liefert Imation mit der T10000 ein neues Niveau an Leistung für Enterprise-Tape Systeme.

Imations Tera Ångstrom Technologie basiert auf drei patentierten Technologien:

· Impingement-Prozess: Unter Einsatz der Hochdruck-Impingementtechnologie werden die Partikel mit einem Druck von über 700 bar (>10.000 psi, pounds per square inch) gegeneinander geschossen. Aneinander geballte Magnetpartikel werden so auseinander gesprengt und in nanometergroße Elemente getrennt. Kleinere Partikelgrößen und die gleichmäßige Verteilung der Partikel erhöhen die Homogenität der Magnetband-beschichtung.

· Ruhetrocknungsverfahren: Eine ausgewogene Trocknungsumgebung mit niedriger Ventilationsgeschwindigkeit und Magnetspulen zur gleichförmigen Partikel-orientierung eliminieren Störungen der Beschichtung und richten die Partikel präzise aus. Dies ermöglicht eine maximale Bit-Dichte und deutlich gesteigerte Speicherkapazitäten.

· Zwischenkalandrierungsverfahren: Walzen mit extrem glatter Oberfläche komprimieren die Bandoberfläche, um eine Oberflächenglätte im Ångstrom-Bereich zu erreichen. (Die Maßeinheit Ångstrom entspricht einem Zehntel Nanometer.) Diese Oberflächenglätte und Homogenität ermöglicht die gesteigerte Bit- und Spurdichte der neuen hochkapazitativen Magnetbandcartridges.

(Imation: ra)

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