Diode schützt USB 3.0-Anschlüsse vor elektrostatischer Entladung

"ESD3v3u4ulc" von Infineon absorbiert frei werdende Energie

(11.01.11) - Ob das aktuelle Album der Lieblingsband, Fotos vom letzten Sommerurlaub oder Filme in HD-Qualität - dank tragbarer Speichermedien kann heute jeder seine eigene Mediathek in der Hosentasche transportieren. Im Handumdrehen lassen sich die Daten auf Endgeräten wie Fernsehern oder Laptops abrufen. Je besser die Bild- und Tonqualität, desto größer ist jedoch auch die Datenmenge, die zwischen den Geräten ausgetauscht werden muss. Schnelle Schnittstellen sind also gefragt.

Dank des einfachen Plug-and-Play-Prinzips hat sich USB (Universal Serial Bus) als Verbindungs-system durchgesetzt. Mit einer Übertragungsrate von bis zu fünf Gigabit pro Sekunde ist USB 3.0 etwa zehnmal so schnell wie die Anschlüsse der zweiten Generation, benötigt aber nur rund ein Drittel der elektrischen Energie. Aufgrund ihres Designs sind die neuen USB-Anschlüsse allerdings besonders anfällig für elektrostatische Entladungen. Schon durch die bloße Berührung mit der Hand kann ein Stromimpuls entstehen und die frei werdende Energie das Gerät beschädigen oder im schlimmsten Fall unbrauchbar machen. Was für den Nutzer ärgerlich ist, kann für Hersteller im Falle von Produktrückrufen und Imageproblemen richtig teuer werden.

Die neue Schutzdiode "ESD3v3u4ulc" von Infineon absorbiert frei werdende Energie von elektro-statischen Entladungen (Electrostatic Discharge - ESD) und schützt auf diese Weise Geräte vor Schäden am USB-Port. Mittels einer niedrigen Klemmspannung und eines niedrigen dynamischen Widerstands (0,23 Ω) reagiert die Diode im Falle einer Entladung besonders wirkungsvoll. Die Absorptionsfähigkeit von 20 kV übertrifft den höchsten Industriestandard (8 kV) nach IEC 61000-4-2. Trotz dieser Schutzleistung beeinträchtigt die ESD3v3u4ulc die Signalqualität der High-Speed-Verbindung kaum. In herkömmlichen Lösungen führt ein effektiver Schutz zu einer Minderung der Signalintegrität und damit zu einer schlechteren Qualität des High-Speed-Signals.

Bei der ESD3v3u4ulc greift Infineon außerdem auf eine ihrer neuesten Gehäusetechnologien zurück. "TSLP-9-1" ermöglicht ein optimales Leiterplattenlayout, bei dem eine Diode bis zu vier Leitungen simultan schützt. Gerade für Hochgeschwindigkeits-Schnittstellen trägt ein geeignetes Gehäuse dazu bei, dass Signale schnell und ohne Qualitätsverluste übertragen werden können. (Infineon: ma)