Neue Solid State Drives steigern die Leistung des Computers deutlich

Samsung Electronics führt SSDs mit einer Kapazität bis zu 256 Gigabyte ein

(31.03.11) - Mit den Solid State Drives der Serie "470" von Samsung sollen Anwender nach eigenen Angaben die Leistung ihres Computers steigern können: schnelleres Booten, keine Geräusche und energieeffizientes Arbeiten.

Das Solid State-Laufwerk enthält keine beweglichen Teile und setzt auf neueste NAND-Flash-Speichertechnologie. Das macht die Solid State Drive (SSD) robuster und zuverlässiger gegenüber einer mechanischen Festplatte. Sie verbraucht weniger Strom und beschleunigt das System. Das SSD-Laufwerk in einer Hülle aus gebürstetem Aluminium ist 9,5 Millimeter dünn, maximal 68 Gramm leicht und mit einer Kapazität von bis zu 256 Gigabyte erhältlich.

Die Samsung SSD zeichnet sich auch durch ihre Multitasking-Fähigkeit aus. Eine neue Speicher-technologie bietet erhöhte Leistung und verhindert Leistungseinbußen beim gleichzeitigen Ausführen mehrerer Anwendungen. Durch den Samsung Multi Level-Cell (MLC)-NAND-Flash Speicher mit Toggle-Mode DDR Interface in Kombination mit der SATA 3,0 GBit/s Schnittstelle erreicht die Solid State Drive eine maximale Lesegeschwindigkeit von 250 MByte/s; die Schreibgeschwindigkeit beträgt 220 MByte/s. Die SSDs können Befehle zu Random Read mit einem Input/Output von 43.000 Operationen pro Sekunde (IOPS) und zu Random Write mit 11.000 IOPS verarbeiten. Im Vergleich zu einer herkömmlichen Festplatte mit 15.000 Umdrehungen pro Minute (RPM), die einen Wert von 350 IOPS hat, ergibt dies einen Leistungszuwachs um das 30-Fache der IOPS bei wahlfreiem Schreibzugriff. Bei Random-Read umfassen die IOPS bei den Samsung SSDs der Serie 470 sogar das 120-Fache.

Der integrierte Drei-Kern MAX-Controller und 256 MB DDR2 DRAM steigern die Leistung der SSD zusätzlich und erhöhen die Reaktionszeit. Anwender können leistungsintensive Software, Videos und Spiele mit minimaler Verzögerung aufrufen und mehrere Anwendungen parallel nutzen. Zudem unterstützt der Flash-Speicher auch niedrige I/O-Spannung von 1,8 Volt. (Samsung: ma)